加急见刊

MgAl2O4绝缘性的第一性原理研究

李俊锋; 罗怡韵; 何海英; 李庆青; 偰正才 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室; 广东深圳518060; 深圳技术大学新材料与新能源学院; 广东深圳518118; 佛山科学技术学院材料科学与能源工程学院; 广东佛山528000

摘要：基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl_2O_4体系。缺陷形成能的结果表明,O_（i4）和V_O分别在富氧（O-rich）和缺氧（O-poor）条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl_2O_4的导电性。电子结构的结果表明,O_（i4）在价带顶和导带底均引入能级,V_O在禁带中引入深能级,分别存在这两种本征缺陷的MgAl_2O_4依然保持良好的绝缘性。

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