加急见刊

基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工艺的微型CMOS五电极垂直型霍尔器件的研究

汤伟; 吕飞; 张胜; 潘红兵; 王敦辉 南京大学物理学院; 南京210093; 南京大学电子科学与工程学院; 南京210023

摘要：为了解决五电极垂直型霍尔器件(5CVHD)电流灵敏度较低以及器件流片迭代周期较长、成本较高的问题,基于GLOBALFOUNDRIES0.18μmBCDliteTM工艺在有限元分析软件COMSOL中进行器件结构设计和仿真,研究器件结构和工艺参数对5CVHD性能的影响,并且选取代表性参数进行流片与测试。通过仿真和流片实测发现,减小电极长度(w)和探测电极与中间偏置电极距离(d2),增加器件长度(l)以及添加一层P型覆盖层有助于提高5CVHD的性能,当有源区深度为7μm时,2.5μm厚度的P型覆盖层能够改善5CVHD的性能。

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