纳米氢氧化钴原位修饰碳糊电极固-液微萃取及电化学检测辛硫磷
摘要：运用纳米氢氧化钴原位修饰碳糊电极微分脉冲伏安(DPV)法检测了辛硫磷。在外加电位下辛硫磷分子被萃取到电极表面,并与纳米氢氧化钴相互作用形成络合物,在-0.489V处得到1还原峰,且还原峰电流随扫速线性增长,表明电极上的还原过程受吸附控制。吸附过程满足Temkin等温吸附模型。pH与电位的关系表明辛硫磷的还原过程为1电子1个质子反应。运用交流阻抗方法考察了反应过程,并辅以理论计算,表明反应为自发过程,计算结果与循环伏安法一致。采用该体系检测辛硫磷,其还原峰电流与辛硫磷浓度的对数分别在3.333×10^-13~3.333×10^-8mol/L和3.333×10^-8~3.333×10^-6mol/L范围内呈线性关系,检出限(S/N=3)可达3.333×10^-13mol/L。该方法具有良好的重现性及选择性,用于菠菜中辛硫磷农药的检测,结果满意。
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